Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF UTV200

Microsemi Corporation UTV200

Numero di parte
UTV200
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 80W 4.5A 55JV2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parteUTV200
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)28V
Frequenza - Transizione470MHz ~ 860MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8.5dB ~ 9.5dB
Potenza - Max80W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)4.5A
temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / caso55JV
Pacchetto dispositivo fornitore55JV
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