Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli APTM10UM01FAG

Microsemi Corporation APTM10UM01FAG

Numero di parte
APTM10UM01FAG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 105 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    95.74500/pcs

  • 10 pcs

    91.12100/pcs

  • 25 pcs

    87.81960/pcs
Totale:95.74500/pcsUnit Price:
95.74500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTM10UM01FAG
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C860A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60000pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6 mOhm @ 275A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6
Pacchetto / casoSP6
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