Numéro d'article | APTM10UM01FAG |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 860A |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2100nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60000pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 2500W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 275A, 10V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package de périphérique fournisseur | SP6 |
Paquet / cas | SP6 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
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