Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGF200DA120D3G

Microsemi Corporation APTGF200DA120D3G

Numero di parte
APTGF200DA120D3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 300A 1400W D3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Numero di parteAPTGF200DA120D3G
Stato parteObsolete
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)300A
Potenza - Max1400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce13nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoD-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitoreD3
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