Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli APTGF200A120D3G

Microsemi Corporation APTGF200A120D3G

Numero di parte
APTGF200A120D3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Numero di parteAPTGF200A120D3G
Stato parteObsolete
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneHalf Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)300A
Potenza - Max1400W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce13nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoD-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitoreD3
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