Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli APT50GN120L2DQ2G

Microsemi Corporation APT50GN120L2DQ2G

Numero di parte
APT50GN120L2DQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 1200V 134A 543W TO264
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 177 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    9.52000/pcs

  • 10 pcs

    8.65350/pcs

  • 25 pcs

    8.00460/pcs

  • 100 pcs

    7.35565/pcs

  • 250 pcs

    6.70660/pcs
Totale:9.52000/pcs Unit Price:
9.52000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte APT50GN120L2DQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 134A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Potenza - Max 543W
Cambiare energia 4495µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 315nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 28ns/320ns
Condizione di test 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitore -
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