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| Numero di parte | APT43GA90B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 78A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 129A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 337W |
| Cambiare energia | 875µJ (on), 425µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 116nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 12ns/82ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Disponibile: 5
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Disponibile: 2905
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Disponibile: 355
