Numero di parte | IXTP10P50P |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Disponibile: 2685
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
Disponibile: 396
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
Disponibile: 0