Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXTP02N120P

IXYS IXTP02N120P

Numero di parte
IXTP02N120P
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXTP02N120P
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 104pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 Ohm @ 100mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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