Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli SGD02N120

Infineon Technologies SGD02N120

Numero di parte
SGD02N120
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte SGD02N120
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 6.2A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
Potenza - Max 62W
Cambiare energia 220µJ
Tipo di input Standard
Carica del cancello 11nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 23ns/260ns
Condizione di test 800V, 2A, 91 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
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SGD02N120

fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

Disponibile: 0

RFQ -
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Descrizione: IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

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