Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln SGD02N120

Infineon Technologies SGD02N120

Artikelnummer
SGD02N120
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer SGD02N120
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 6.2A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 9.6A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
Leistung max 62W
Energie wechseln 220µJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 11nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/260ns
Testbedingung 800V, 2A, 91 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
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