Infineon Technologies IRF7832PBF

Numero di parte: IRF7832PBF
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 1617 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.63500/pcs
10 pcs
0.59800/pcs
100 pcs
0.47245/pcs
500 pcs
0.36638/pcs
1,000 pcs
0.28924/pcs

Totale:0.63500/pcs

Unit Price:

0.63500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IRF7832PBF
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.32V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4310pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)