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| Numero di parte | IRF7101PBF |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Disponibile: 4000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Disponibile: 5991
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Disponibile: 12000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Disponibile: 0
