Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IPW65R190CFD

Infineon Technologies IPW65R190CFD

Numero di parte
IPW65R190CFD
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 24940 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.76500/pcs
  • 10 pcs

    1.66300/pcs
  • 100 pcs

    1.36370/pcs
  • 500 pcs

    1.10427/pcs
  • 1,000 pcs

    0.93132/pcs
Totale:1.76500/pcsUnit Price:
1.76500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteIPW65R190CFD
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 730µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1850pF @ 100V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 7.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3
Pacchetto / casoTO-247-3
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