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| Artikelnummer | IPW65R190CFD |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 151W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: HIGH POWER_NEW
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 53A TO247
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