Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IPW50R280CE

Infineon Technologies IPW50R280CE

Numero di parte
IPW50R280CE
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 1055 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.87500/pcs
  • 10 pcs

    0.83200/pcs
  • 100 pcs

    0.66860/pcs
Totale:0.87500/pcs Unit Price:
0.87500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IPW50R280CE
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 773pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.2A, 13V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
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