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| Numero di parte | IPW50R399CPFKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
Disponibile: 336
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247
Disponibile: 477
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
Disponibile: 1668
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO247
Disponibile: 422
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
Disponibile: 0
