Numero di parte | IPP037N06L3GXKSA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 90A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Disponibile: 990
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Disponibile: 1448