Infineon Technologies IPP037N06L3GXKSA1

Numero de parte: IPP037N06L3GXKSA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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10 pcs
0.79450/pcs
100 pcs
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0.49665/pcs
1,000 pcs
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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPP037N06L3GXKSA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 93µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO-220-3
Paquete / caja	TO-220-3