GeneSiC Semiconductor MBR20030CT

Numero di parte: MBR20030CT
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Diodi - Raddrizzatori - Array

GeneSiC Semiconductor

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Parametro del prodotto

Numero di parte	MBR20030CT
Stato parte	Active
Configurazione diodi	1 Pair Common Cathode
Tipo diodo	Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	200A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	650mV @ 100A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5mA @ 20V
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Twin Tower
Pacchetto dispositivo fornitore	Twin Tower