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| Artikelnummer | MBR20030CT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5mA @ 20V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A SOT227
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
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