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| Numero di parte | FDMS86520 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 42A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 14A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
Disponibile: 0
