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| Numero di parte | FDMD85100 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Potenza - Max | 2.2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-Power 5x6 |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
Disponibile: 0
