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| Numero di parte | FDMB3900AN |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 13V |
| Potenza - Max | 800mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 6-MLP
Disponibile: 15000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2P-CH MLP2X3
Disponibile: 6000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
Disponibile: 9000
