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| Numero di parte | FDMB2308PZ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3030pF @ 10V |
| Potenza - Max | 800mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MLP (2x3) |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 6-MLP
Disponibile: 15000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2P-CH MLP2X3
Disponibile: 6000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
Disponibile: 9000
