Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TC

Numero di parte
ZXMC4559DN8TC
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 68750 pz

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0.38812/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteZXMC4559DN8TC
Stato parteActive
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1063pF @ 30V
Potenza - Max2.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
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