Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TC

Artikelnummer
ZXMC4559DN8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
ArtikelnummerZXMC4559DN8TC
TeilstatusActive
FET TypN and P-Channel
FET-EigenschaftLogic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C3.6A, 2.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs20.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1063pF @ 30V
Leistung max2.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO
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