Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli DRDN005W-7

Diodes Incorporated DRDN005W-7

Numero di parte
DRDN005W-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
TRANS NPN 80V 0.5A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 97500 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.05445/pcs

  • 3,000 pcs

    0.05445/pcs

  • 6,000 pcs

    0.05115/pcs

  • 15,000 pcs

    0.04785/pcs

  • 30,000 pcs

    0.04389/pcs
Totale:0.05445/pcsUnit Price:
0.05445/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDRDN005W-7
Stato parteActive
Transistor TypeNPN + Diode (Isolated)
Corrente - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione100MHz
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363
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