Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln DRDN005W-7

Diodes Incorporated DRDN005W-7

Artikelnummer
DRDN005W-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 80V 0.5A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:0.05445/pcsUnit Price:
0.05445/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerDRDN005W-7
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN + Diode (Isolated)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Leistung max200mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363
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