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| Numero di parte | DMS3017SSD-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A, 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1276pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.19W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Disponibile: 2500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8
Disponibile: 5000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
Disponibile: 2500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
Disponibile: 0
