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| Numero di parte | DMS3012SFG-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 890mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 13.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Disponibile: 2500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
Disponibile: 2000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8
Disponibile: 5000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO
Disponibile: 2500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
Disponibile: 0
