Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMN62D0LFD-7

Diodes Incorporated DMN62D0LFD-7

Numero di parte
DMN62D0LFD-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 420069 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.03025/pcs

  • 3,000 pcs

    0.03025/pcs

  • 6,000 pcs

    0.02630/pcs

  • 15,000 pcs

    0.02235/pcs

  • 30,000 pcs

    0.02104/pcs

  • 75,000 pcs

    0.01972/pcs

  • 150,000 pcs

    0.01709/pcs
Totale:0.03025/pcsUnit Price:
0.03025/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN62D0LFD-7
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C310mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs500nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds31pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 100mA, 4V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreX1-DFN1212-3
Pacchetto / caso3-UDFN
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