Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMN62D0LFD-7

Diodes Incorporated DMN62D0LFD-7

Artikelnummer
DMN62D0LFD-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:0.03025/pcsUnit Price:
0.03025/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerDMN62D0LFD-7
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs500nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds31pF @ 25V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)480mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs2 Ohm @ 100mA, 4V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketX1-DFN1212-3
Paket / Fall3-UDFN
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