Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated DMN3015LSD-13

Numero di parte
DMN3015LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN3015LSD-13
Stato parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1415pF @ 15V
Potenza - Max1.2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
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