Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Arreglos DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated DMN3015LSD-13

Numero de parte
DMN3015LSD-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.12477/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parteDMN3015LSD-13
Estado de la piezaActive
Tipo de FET2 N-Channel (Dual)
Característica FETStandard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs25.1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1415pF @ 15V
Potencia - Max1.2W
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete / caja8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor8-SO
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