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| Numero di parte | DMN2016LFG-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1472pF @ 10V |
| Potenza - Max | 770mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerUDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN3030-8 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Disponibile: 168600
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
Disponibile: 24000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
Disponibile: 15000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323
Disponibile: 225000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Disponibile: 12000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Disponibile: 156000
