Diodes Incorporated DMN10H700S-7

Numero di parte: DMN10H700S-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Diodes Incorporated

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Parametro del prodotto

Numero di parte	DMN10H700S-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	700mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700 mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3