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| Numero de parte | DMN10H700S-7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
En stock: 6000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
En stock: 4000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
En stock: 15000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN1010-
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
En stock: 6000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
En stock: 20000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
En stock: 3000
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
En stock: 0
Fabricante: Diodes Incorporated
Descripción: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
En stock: 3000
