Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMN10H220L-7

Diodes Incorporated DMN10H220L-7

Numero di parte
DMN10H220L-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 22500 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteDMN10H220L-7
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds401pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs220 mOhm @ 1.6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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