Diodes Incorporated DMN10H220L-7

Osa numero: DMN10H220L-7
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Diodes Incorporated

diodes incorporated is a leading global manufacturer and supplier of high-quality application specific standard products within the broad discrete and analog semiconductor markets.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.08074/pcs
3,000 pcs
0.07723/pcs

Kaikki yhteensä:0.08074/pcs

Unit Price:

0.08074/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	DMN10H220L-7
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	401pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 1.6A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajan laitepaketti	SOT-23
Pakkaus / kotelo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3