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| Numero di parte | CXDM3069N TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | 12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89 |
| Pacchetto / caso | TO-243AA |
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Disponibile: 0
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Disponibile: 37000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
Disponibile: 2000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
Disponibile: 3000
fabbricante: Central Semiconductor Corp
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Disponibile: 13000
