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| Numero de parte | CXDM3069N TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.9A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 15V |
| Vgs (Max) | 12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-89 |
| Paquete / caja | TO-243AA |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
En stock: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
En stock: 37000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
En stock: 2000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
En stock: 3000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descripción: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
En stock: 13000
