Numero di parte | AON3816 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (2.9x2.3) |
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
Disponibile: 0
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Disponibile: 0