Numero di parte | AON1634 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 245pF @ 15V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 4A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN (1.6x1.6) |
Pacchetto / caso | 6-PowerUFDFN |
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
Disponibile: 0
fabbricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Disponibile: 0