Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array ALD1101APAL

Advanced Linear Devices Inc. ALD1101APAL

Numero di parte
ALD1101APAL
fabbricante
Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Advanced Linear Devices, Inc.

Advanced Linear Devices, Inc.

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In stock 5937 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.29070/pcs
  • 50 pcs

    2.39980/pcs
Totale:2.29070/pcs Unit Price:
2.29070/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte ALD1101APAL
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP
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