Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices ALD1101APAL

Advanced Linear Devices Inc. ALD1101APAL

Numéro d'article
ALD1101APAL
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Advanced Linear Devices, Inc.

Advanced Linear Devices, Inc.

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Total:2.29070/pcs Unit Price:
2.29070/pcs
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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article ALD1101APAL
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 10.6V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur 8-PDIP
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