Numéro d'article | SI4431BDY-T1-E3 |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.5A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-SO |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricant: Silicon Labs
La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
En stock: 27
Fabricant: Silicon Labs
La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
En stock: 0
Fabricant: Silicon Labs
La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
En stock: 32
Fabricant: Silicon Labs
La description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
En stock: 5000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
En stock: 0