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| Número da peça | SI4431BDY-T1-E3 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
Em estoque: 27
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
Em estoque: 32
Fabricante: Silicon Labs
Descrição: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
Em estoque: 5000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Em estoque: 0
