Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X

Numéro d'article: TK12E80W,S1X
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
1.81500/pcs
50 pcs
1.46030/pcs
100 pcs
1.33045/pcs
500 pcs
1.07734/pcs
1,000 pcs
0.90860/pcs

Total:1.81500/pcs

Unit Price:

1.81500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	TK12E80W,S1X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 570µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 300V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5.8A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3