Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV,L3F

Numéro d'article: RN2107MFV,L3F
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PREBIAS NPN
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit

Numéro d'article	RN2107MFV,L3F
État de la pièce	Active
Type de transistor	PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	-
Puissance - Max	150mW
Type de montage	-
Paquet / cas	-
Package de périphérique fournisseur	-